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我院汪春昌教授参加国际晶体与外延学术会议

作者: 来源:本站原创 日期:2016-9-2 9:03:14 点击:939 属于:学院动态

20168612日,18届国际晶体生长与外延学术会议(The 18th Internal Conference on Crystal Growtth and Epitaxy -- ICCGE-18)在日本名古屋召开。受会议主席Koichi KAKIMOTO 教授的邀请,我院汪春昌教授参加了此次会议,并作了题为“Phase transitions induced by oxygen-vacancy-ordering found in a number of oxide crystals”的邀请报告,受到了与会者的高度关注。

会议包括11General Sessions (Fundamentals & Growth TechnologiesG01 Fundamentals of Nucleation Crystal Growth; G02 Surfaces and Interfaces; G03 Nanomaterials and Dimensional Structures; G04 Thin films and Epitaxial Growth; G05 Organic and Biological Crystalallization; G06 Bulk Crystal Growth; G07 Defect Formation; G08 Advanced Growth Technologies; G09 In Situ Observation and Characterization; G10 External Fields, Microgravity; G11 Industrial Crystalllization) 10Topical Sessions (Materials & Applications: T01 III-V Semiconductors; T02 Group IV Semiconductors; T03 2D Materials; T04 II-VI and Oxide Materials; T05 Materials for spintronics; T06 Materials for Optical Devices; T07 Materials For Electronic Devices; T08 Materials for Organic Device and Bio Applications; T09 Nitride Semiconductors; T10 Silicon Carbide.)

       国际晶体生长与外延学术会议每三年举办一次,旨在“基于基本理论,构建晶体生长创新平台”,通过合作为基础科学和工程之间搭建晶体生长创新平台。 此次会议有来自世界各地的一千多位学者参加,日本政府也高度重视此次会议,首相发来了贺电,皇太子亲自参加了开幕式。

 

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